Специалисти от University of Lancaster постигаха значителен успех в амбициозния си проект да създадат ново поколение "Non-Violatile" флаш памет. След множество тестове в лабораторния условия екипа от учени разработва UK III-V Memory. Всъщност под това име се крие памет, която едновременно предлага същата висока скорост на DRAM модулите, но консумира едва 1% от енергията необходима на NAND/DRAM за запис на данни. Това е само първата фаза на иновативния проект UK III-V Memory.

 

Все пак факта, че тази памет е бърза колкото DRAM би позволила да използваме компютри, които съхраняват информация в RAM паметта, дори когато са изключени. По този начин ще може веднага да продължите, откъдето сте спрели работата в същия момент, когато включите устройството. Така ще се премахне нуждата да използвате режимите за заспиване и хиберниране, но също и да се спира работата на RAM паметта при изключване на машината, съобщава TomsHardware.

 

 

Новата памет демонстрира обещаващи резултати, но ще са необходими години преди да можем да използваме технологията. Големият въпрос остава дали UK III-V Memory може да работи по същия начин, както DRAM памет след голям брой цикли на запис на информация. Учените ще продължат да експериментират с различни идеи, които да подобрят работата на UK III-V Memory и да доведат до създаването на по-добра алтернатива на класическата DRAM памет в компютърните системи.

 

Още от Digital: От колко RAM се нуждае компютър с Windows 10