Бързата скорост на работа е ключово предимство на SSD твърдите дискове, но техния капацитет продължава да бъде основния им проблем. Samsung и Intel се опитаха да отстранят този недостатък с атрактивната технология 3D NAND, позволяваща да се добавят повече памет модули на същото пространство. Новата серия Samsung 850 EVO е най-доброто доказателство за възможностите на тази иновация, като нейните представители осигуряват до 1TB памет, съобщава DigitalTrends.

 

Компанията Crossbar от няколко години инвестира финансови средства и усилия в разработването на алтернативна памет с името Resistive Random Access Memory (RRAM). Eдно от предимствата на модулите с тази технология е, че те са „енергийнонезависими“, което означава, че могат да запазват информацията в тях, дори при липсата на електричество. Припомняме ви, че  DDR-RAM паметта в компютрите ни „забравят“ всички данни, след като устройствата бъдат изключени.

 

RRAM позволява модулите да бъдат поставяни един върху друг в структура, наподобяваща куб, която се разширява в три измерения. По този начин компанията успява да интегрира 1TB памет само в един чип, което е доста впечатляващо, а също и да разположи 2000 памет модули в един транзистор.

 

Технологията на Crossbar може да издържи 100 милиона жизнени цикъла и предлага скорост на включване и изключване от едва 50 наносекунди. В заключение ще отбележим, че RRAM има потенциала да доведе до създаването на ултракомпактни SSD дискове с големината на пощенска марка, като първите продукти с нея ни очакват през следващата година.