Micron е една от компаниите, които заедно с Intel полагат много усилия и инвестират средства в разработването на флаш памет от ново поколение, която да намери място в бъдещите мобилните устройства на пазара. Потребителите биха могли да очакват сериозно подобрение не само в сферата на скоростта, но и по отношение на капацитета на батерията, тъй като модулите им са много по-малки като размер. От своя страна това позволява 3D NAND клетките да бъдат подредени вертикално, което ще освободи допълнително място в смартфоните и таблетите за поставянето на по-голяма батерия и въпреки това да ги направи по-тънки. 

 

Инженерите на Micron са намерили начин как да създадат нови 3D NAND модули, които са с 30% по-малки от тези, които сега използваме в мобилните устройства, но предлагат същият капацитет, предаде DigitalTrends. Според официалните данни, техните размери са 60.217 квадратни милиметра и това ги превръща в най-малките подобни модули създавани досега в индустрията. Не бива да забравяме и факта, че те могат да се допълнят и от LPDDR4X RAM памет, която се отличава с 20% по-ниска консумация на енергия от сегашните LPDDR4 модели в джаджите ни. 

 

Компанията обърна внимание и на факта, че това са първите модули памет, които са съвместими с Universal Flash Storage 2.1 стандарта, който бе представен през март и предлага по-висока производителност и ниска консумация на енергия. Micron вече са готови да стартират масовото производство на новата 3D NAND памет и първите устройства с тях може да се появят на пазара още до кря на годината. За нас потребителите е добре да разберем за подобни иновации, които ще подобрят още повече възможностите на мобилните устройства, които използваме в ежедневието си. 

 

 

Вижте как Intel създадоха 1000 пъти по-бърза NAND флаш памет