Корейският бранд разкри любопитни детайли за бъдещата си стратегия в индустрията по време на Samsung Foundry Forum 2019. Едно от най-интересните неща, които Samsung споделиха са детайли за 3-нанометровата "Gate-All-Around" (GAA) технология. Компанията се движи съобразно предварителния график и се надява това да се превърне в една от най-големите иновации в сферата на процесорите досега. Първите 3nm чипове ще се използват oт смартфони и автомобили. 

 

Samsung публикуваха за първи път информация, засягаща този производствен процес и разкриха, че новата технология ще намали размерите на процесорите с около 45%. В същото време 3-нанометровите чипове ще консумират с приблизително 50% по-малко енергия, но ще увеличат производителността с допълнителни 35%, съобщава SamMobile. Трябва да отбележим, че сравнението е направено с настоящите 7-нанометрови архитектури за смартфони на компанията.

 

 

Следващата цел в краткосрочен план за компанията е финализирането на 5-нанометровия FinFET процес, което ще стане преди края на годината. Масовото производство ще стартира през 2020г. Успоредно с това Samsung се надяват да приключат първия етап на разработка на 4-нанометрова технология преди края на настоящата година. Именно заради това корейския бранд още не се е ангажирал с времеви период, в който можем да очакваме официалната премиера на 3nm процесори.

 

Още от Digital: Какви ще са подобренията в 5-нанометровите процесори за смартфони на Samsung